元件工程 / 射頻放大

寬頻射頻
功率放大模組

面向通訊、實驗室測試與工業研究的模組級射頻放大產品。了解產品家族、認識 GaN 與 LDMOS 技術路徑，並圍繞您的設備討論合適的模組配置。

GaN / LDMOS 技術
模組級整合
專案導向客製化

金屬外殼內的寬頻射頻功率放大模組產品照片 — **近距離了解模組的外觀形式。**不同產品的外殼與介面配置各有差異。

射頻模組 / 型號選型

型號選型參考

瀏覽 22 組參考記錄，並進入各自的獨立型號頁。參考編號沿用提供清單的順序，不代表已確認的商用型號編碼。

22 ／ 22 組記錄

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型號選型參考 — 22 組記錄
參考型號	頻段參考	頻寬參考	功率參考	功率電晶體技術	射頻接頭	重量參考	尺寸參考	資料狀態	詳情
參考型號 01	5–6 GHz	1 GHz	10-30 W	GaN	SMA → SMA	273 g	132 × 53 × 18 mm	已列明欄位	查看型號詳情
參考型號 02	1.2 GHz 1.5 GHz 2.4 GHz	低帶帶寬200 MHz （如700–900 MHz）高帶帶寬300 MHz (如2–2.3 GHz)	50 W	LDMOS	SMA → N	556 g	179.6 × 66.91 × 22 mm	已列明欄位	查看型號詳情
參考型號 03	3–4 GHz 4–5 GHz 5–6 GHz 3–6 GHz	帶寬1 GHz 帶寬3 GHz	50 W	GaN	SMA → N	未提供，請確認	203.5 × 90 × 24 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 04	100–1000 MHz	帶寬1 GHz	100 W	新LDMOS	SMA → N	1020 g	175.5 × 100 × 24 mm	已列明欄位	查看型號詳情
參考型號 05	1–2 GHz 2–3 GHz 1–3 GHz	帶寬1 GHz 帶寬3 GHz	100 W	GaN	SMA → N	1048 g	200.5 × 105 × 24 mm	已列明欄位	查看型號詳情
參考型號 06	資料不一致，請確認總表記錄 4–6 GHz 分表記錄 4–6.3 GHz	資料不一致，請確認總表記錄 200 MHz 分表記錄低帶帶寬500 MHz 如：（4–4.5 GHz 4.5–5 GHz）高帶帶寬1 GHz 如：（5–6 GHz）	100 W	GaN	SMA → N	700 g	175 × 84 × 24 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 07	資料不一致，請確認總表記錄 400-1000-2000 分表記錄 100–1000 MHz 1–3 GHz 第一版	資料不一致，請確認總表記錄 500 MHz 分表記錄帶寬1 GHz 如： 100–1000 MHz 1–2 GHz 2–3 GHz	30 W	GaN	SMA → SMA	295 g	160 × 50 × 20 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 08	100–1000 MHz 1–3 GHz 第二版	記法待確認總表記錄 100-1000-30 W, 1000-3000-20-30 W 分表記錄 100-1000-30 W, 1000-3000-20-30 W	30 W	GaN	SMA → SMA	396 g	162.65 × 52.5 × 20 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 09	3–6 GHz	1 GHz / 2 GHz / 3 GHz	30-40 W	GaN	SMA → SMA	294 g	160 × 50 × 19 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 10	100 MHz-2.4 GHz	帶寬300–400 MHz	50 W	GaN	SMA → N	425 g	155 × 58 × 22 mm	已列明欄位	查看型號詳情
參考型號 11	資料不一致，請確認總表記錄 2–6 GHz第一版分表記錄 3–6 GHz	資料不一致，請確認總表記錄 4 GHz 分表記錄 3 GHz	資料不一致，請確認總表記錄 50/100 W 分表記錄 100 W	GaN	SMA → N	1351 g	220 × 110 × 26 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 12	300 MHz-2 GHz 第二版	1.7 GHz	100 W	GaN	SMA → N	未提供，請確認	240 × 118 × 25 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 13	記法待確認總表記錄 100–1 GHz 分表記錄 100–1 GHz	900 MHz	資料不一致，請確認總表記錄 100 W 分表記錄 50-100 W	GaN	SMA → N	880 g	200 × 100 × 20 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 14	1–2 GHz	帶寬1 GHz	80 W	GaN	SMA → SMA	724 g	200 × 100 × 20 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 15	1–6 GHz 1–6.2 GHz 第二版功率描述待確認	帶寬5 GHz	100 W	GaN	SMA → N	1830 g	250 × 150 × 25 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 16	4–8 GHz 第二版	4 GHz	50 W	GaN	SMA → SMA	資料不一致，請確認總表記錄 770 g 分表記錄 439 g	資料不一致，請確認總表記錄 180 × 100 × 20 mm 分表記錄 134 × 80 × 22 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 17	1–3 GHz	2 GHz	50 W	GaN	SMA → N	977 g	220 × 77 × 24 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 18	資料不一致，請確認總表記錄 1–6.4 GHz 500–7.3 GHz 分表記錄 1–6.4 GHz 500 MHz-7.3 GHz	未提供，請確認	版本功率待確認總表記錄 10 W 分表記錄資料提及 10 W／20 W 版本，請確認適用記錄	GaN	SMA → SMA 鍍銀接頭	278 g	105 × 60 × 20 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 19	4–8 GHz	4 GHz	100 W	GaN	資料不一致，請確認總表記錄 SMA → SMA 分表記錄 SMA → SMA/N	1193 g	160 × 160 × 25 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 20	2–7.2 GHz	5.2 GHz	50 W	GaN	資料不一致，請確認總表記錄 SMA → SMA 分表記錄 SMA → N	未提供，請確認	160 × 160 × 25 mm	需要確認	查看型號詳情
參考型號 21	2–7.2 GHz	5.2 GHz	100 W	GaN	SMA → SMA	2569 g	240 × 220 × 25 mm	已列明欄位	查看型號詳情
參考型號 22	記法待確認總表記錄 100-400 分表記錄 100-400	資料不一致，請確認總表記錄 400 MHz 分表記錄 400	資料不一致，請確認總表記錄 150 W 分表記錄 200 W	GaN	N	778 g	226 × 74 × 22 mm	需要確認	查看型號詳情

限合法民用通訊、實驗室設備及工業研究的產品資料討論。本記錄不是安裝指引、干擾設定、安全評估或認證聲明；原始工作簿與內部工程備註不作公開下載。

01 / 模組化思路

整機中的一個模組，而非黑盒系統。

射頻功率放大器用於提高輸入射頻訊號的功率。模組則將這一放大級整合為可納入更大設備的組件，而不是代替整套系統。

寬頻設計思路

寬頻放大可處理模組預定工作範圍內的一段射頻訊號。產品家族包含不同設計路徑，不應把單一模組理解為適用於所有應用。

器件技術選項

GaN 與 LDMOS 為放大器提供不同的設計基礎。評估重點是完整模組如何配合預定訊號與設備，而不只是半導體技術名稱。

圍繞整合的封裝

模組形式將放大器組織成明確的實體組件。外殼配置、連接位置與主機設備的機構安排，都是產品溝通中的實際議題。

清晰的客製路徑

從民用用途與周邊設備出發，討論機構配合、介面安排及所需支援，讓初步構想逐步形成雙方確認的專案範圍。

02 / 產品家族

同一類別，多種模組形式。

產品家族涵蓋多種外殼形狀與連接配置。從不同實體形式出發，讓工程與採購團隊更直觀地展開產品溝通。

完整產品家族原圖，展示不同外殼形式的射頻功率放大模組 — 在較小螢幕上，可於圖片區域左右滑動，或使用方向鍵查看完整產品家族。

實體形式

不同比例的外殼，可對應不同設備的空間佈局。

連接配置

介面位置是每款模組整合情境中需要單獨考慮的一環。

專案適配

以產品家族作為起點，再與團隊討論具體的組件形式。

03 / 技術選項

兩種半導體路徑，從整機角度評估。

GaN 與 LDMOS 指的是放大器內部的電晶體技術。僅憑技術名稱，無法說明成品模組的表現。

GaN

氮化鎵（Gallium nitride）

用於射頻功率器件的化合物半導體技術。當設備構想重視緊湊的射頻功率級與寬頻設計時，這是可納入討論的技術路徑。

討論重點：預定訊號、實體封裝與整體設備需求。

LDMOS

橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally diffused metal-oxide-semiconductor）

長期應用於射頻放大的矽基電晶體技術，為通訊設備及其他射頻系統提供另一種設計路徑。

討論重點：通訊用途、既有設備架構與專案優先事項。

應在應用情境下比較完整模組設計；技術名稱並不代表通用的優劣排名。

04 / 民用應用場景

從通訊設備到研究工作台。

在以下三類民用情境中，獨立的射頻放大級可作為整體設備設計的一部分。

連網系統

通訊設備

通訊設備與無線開發平台中的射頻放大。模組可與其他訊號處理組件共同構成發射鏈路中的一級。

量測情境

實驗室與測試

為射頻實驗及設備評估放大實驗室訊號源。放大器需放在實驗室完整的量測系統與測試規劃中一併考慮。

應用開發

工業研究

用於工業儀器研究與原型設備的射頻子系統。模組級封裝讓團隊能將放大器與整體機構、電子組件一併評估。

05 / 客製範圍

從您的設備出發，定義討論方向。

客製化始於了解主機產品，以及射頻放大級在其中的用途。與 New Ark 進行初步溝通時，可先圍繞以下方面展開。

外殼與機構配合: 可用空間、周邊組件，以及模組如何納入主機設備。
介面與連接配置: 連接位置、介面需求，以及模組與整機之間的分工邊界。
技術與產品範圍: 預定民用用途，以及是否應將 GaN 或 LDMOS 路徑納入產品評估。
文件與技術支援: 團隊所需的模組資訊、評估紀錄與專案工程協作。

具體模組的外殼、介面與支援安排，須在書面專案範圍中確認。

06 / 常見問題

開始討論模組之前。

這是獨立射頻儀器，還是模組？

此產品類別涵蓋用於整合至更大設備的放大模組。外殼並不會讓模組成為完整的實驗室儀器或通訊系統；周邊設備與整合責任仍須一併考慮。

GaN 與 LDMOS 有何不同？

GaN 是氮化鎵（Gallium nitride）；LDMOS 是橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally diffused metal-oxide-semiconductor）。兩者是用於射頻功率放大的不同電晶體技術，應依完整模組設計與用途評估，並非某一種技術在所有情境下都較好。

這些是無源功率放大模組嗎？

不是。射頻功率放大器需要外部電源，屬於有源電子器件。即使模組沒有額外的控制或監測功能，「無源」一詞仍不能正確描述需供電的放大器。

客製化諮詢應先提供甚麼資訊？

可先介紹民用用途、模組在設備中的角色、可用機構空間，以及希望釐清的介面或文件問題。客製專案團隊可協調下一步評估；最終配置與支援安排則需納入書面範圍。

07 / 諮詢聯繫

依照需求，找到合適的團隊。

請按討論內容選擇聯絡窗口。以下三個連結均直接開啟 WhatsApp，無需註冊或填寫詢問表格。

01 / WhatsApp

銷售諮詢

產品家族詢問、報價與商務溝通。

+86 19928199130聯繫銷售團隊

02 / WhatsApp

技術支援

模組問題、產品文件與技術釐清。

+86 18123677761聯繫技術支援

03 / WhatsApp

客製專案

討論專案所需的機構配合、介面與支援範圍。

+85295658748聯繫專案團隊

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